Фоторезист жидкий

Главная » Продукция » фоторезист » Фоторезист жидкий

Фоторезист жидкий НФ-ВЩ, с защитным покрытием цена от - 12000 рублей за кг.
Фоторезист изготовлен на основе сополимеров метакрилового ряда.
Формирование пленки на подложке осуществляется центрифугированием или погружением в раствор. Для обеспечения фотополимеризации пленка фоторезиста перед экспонированием покрывается защитным слоем, предохраняющим от доступа кислорода, методами погружения в раствор или полива.
Особенностью фоторезиста является вертикальный профиль проявления.
Типичная толщина пленки, мкм 30
Разрешающая способность, мкм от 40

Негативный фоторезист  водощелочного проявления  НФ-ВЩ

 

Фоторезист предназначен для реализации фотолитографических процессов с последующим гальваническим осаждением металлов в производстве печатных плат, микросхем, электроформованных сит и в других областях, где используются методы прецизионной фотолитографии и гальваники.   Фоторезист изготовлен на основе сополимеров метакрилового ряда и имеет следующие технические характеристики:

 

Внешний вид

Вязкая прозрачная жидкость розового или синего цвета

Вязкость (по ВЗ-4), с

80-100

Спектральная чувствительность, нм

330-410

Разрешающая способность (мин размер элемента), мкм

40

Термостойкость проявленного рельефа (отсутствие искажений размеров элементов)

До 170оС

            

            

            Инструкция по применению:

  1. Фоторезист наносят на подготовленную поверхность методом центрифугирования или вытягивания.
  2. Производят сушку при температуре 45-55оС в течение 20-30 мин.
  3. На подложку с нанесенным фоторезистом наносят защитный слой методом полива, слегка разравнивают защитный слой с помощью мягкого ракеля (слой создают для защиты от кислорода).
  4. Производят сушку  при температуре 45-55оС в течение 20-30 мин до полного высыхания слоя.
  5. Для получения рисунка используют фотошаблоны, как пленочные, так и стеклянные.
  6. Экспонирование проводят на установках типа УПСЭ, а также на других установках, снабженных УФ-источниками света типа ДРШ-250, 350, 400 или лампами фирмы Philips (для прилегания фотошаблона допускается использовать вакуумные рамы).
  7. Время экспонирования подбирают опытным путем на образцах (обычно от 2 до 4 мин для установки экспонирования, снабженной двумя источниками ДРШ-250).
  8. Для облегчения процесса проявления слоя фоторезиста проводят удаление защитного слоя промывкой в проточной воде при температуре ~20оС.
  9. Проявление проводят в 2%-ом растворе Na2CO3 при комнатной температуре.
  10. После проявления матрицу промывают проточной водой при комнатной температуре.
  11. Производят сушку  при температуре 45-55оС в течение 20-30 мин до полного высыхания слоя.
  12. Травление проводят химическим или электрохимическим способом до заданной глубины (состав травителя и режимы процесса травления зависит от материала подложки).
  13. Фоторезист устойчив в кислых гальванических ваннах.