НИР

Главная » НИР

В нашей организации ведуться научные разработки в следующих областях:

- Планаризирующий Hard mask слой

            - Антиотражающее покрытие

            - Фоторезист под актиничное излучение ArF источника с длиной волны 193 нм, или фоторезисты под актиничное EUV излучение с длиной волны 13.5 нм,

а также фоторезисты для некритичных слоев под актиничное излучение KrF источника с длиной волны 248 нм.